“Silicon epitaxial wa” 中國GB標準檢索結果 |
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GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法（中英文版） Semiconductor devices - Non-destructive testing and identification criteria for defects in silicon carbide homoepitaxial wafers for power devices - Part 3: Photoluminescence detection method of defects |
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GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法（中英文版） Semiconductor devices - Non-destructive testing and identification criteria for defects in silicon carbide homoepitaxial wafers for power devices - Part 2: Optical detection methods for defects |
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GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类（中英文版） Semiconductor devices - Non-destructive testing and identification criteria for defects in silicon carbide homoepitaxial wafers for power devices - Part 1: Defect classification |
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GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法（中英文版） Testing of surface defects of silicon carbide epitaxial wafers Laser scattering method |
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GB/T 14139-2019 硅外延片（中英文版） Silicon epitaxial wafers |
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GB/T 35310-2017 200mm硅外延片（中英文版） 200mm silicon epitaxial wafer |
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GB/T 14139-2009 硅外延片（中英文版） Silicon epitaxial wafers |
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GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片（中英文版） Silicon on sapphire epitaxial wafers |
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